AP4064CMT_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有150A的最大漏极电流（ID）、30V的漏源极间最大电压（VDSS）以及仅2mΩ的导通电阻（RDON），并支持高达20V的栅源电压（VGS）。这些特性使其成为高效率电源转换、精密信号调节和复杂电子系统中的理想选择。其低导通电阻有助于减少能耗，提高系统的整体性能，同时保证了在各种应用环境下的稳定性和可靠性。
