AP3P7R0EH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压承受能力为30V。其导通电阻仅为5.5mΩ，在25V的工作电压范围内表现出色。这些特性使其成为需要高效能开关操作的理想选择，尤其适用于要求低损耗和高效率的应用场景中，如电源管理模块、便携式电子设备以及各类需要精确电流控制的电路设计。该MOSFET还支持快速开关，有助于减少能耗并提高系统稳定性。
