AP9575AGH_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:29mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具备30A的最大连续漏极电流和60V的漏源极电压耐受能力，确保了其在高功率密度应用中的可靠性。该MOSFET拥有29mΩ的导通电阻，有效降低了工作时的功耗，提高了效率。其栅源极电压范围为20V，能够适应多种电路设计需求，适用于需要高效能开关操作的电子产品中。此元件特别适合于要求低损耗和高稳定性的电路设计，如电源管理、信号调节等场合。
