HSCTWA90N65G2V4_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大导通电流ID为120A，最高工作电压VDSS可达650V，确保了在高压环境下的稳定运行。其导通电阻RDON低至15毫欧（mΩ），有助于减少能量损耗，提升转换效率。栅源电压VGS的最大值为15V，使得该器件易于驱动并保持良好的开关特性。适用于需要高效能和高可靠性的电力转换系统，如高频逆变器、不间断电源系统等，能够在紧凑的设计空间内实现高性能的电力控制。
