HNTH4L040N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:78A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的导通电流（ID），并能在断态下承受高达1200V的电压（VDSS）。其低导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于减少电力损耗，提升转换效率。器件设计需18V的栅源电压（VGS）来触发，适用于高频开关电源、电力调节模块等高效能应用领域，有效支持精密电力控制需求。
