HNVH4L075N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）专为高性能需求设计，具有29A的最大连续漏极电流能力及650V的耐压等级。其导通电阻为60mΩ，有助于降低能耗和提升系统效率。栅源电压范围设定在±15V，确保了广泛的驱动电路兼容性。适用于追求快速响应与高可靠性的电源转换、逆变器以及其他需要严格控制功耗的应用场景中。
