HSCTW60N120G2_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备优秀的电气特性，其连续电流ID可达55A，最大漏源电压VDSS为1200V。导通电阻RDSON仅为40毫欧，有助于减少导通损耗，提高效率。该MOSFET为N沟道类型，栅源电压VGS的最大值为18V，适用于需要高电压、大电流及高效能转换的应用场合，如高性能电源供应器、可再生能源系统中的逆变技术以及便携式充电设备等，能够显著提升系统的整体性能与可靠性。
