AP10TN135H_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有15A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），适合于需要较高电压耐受能力的应用场合。其导通电阻（RDS(on)）为100mΩ，在20V的栅源电压（VGS）下工作，能够在保证较低功耗的同时提供稳定的电流控制。适用于电源适配器、开关电源以及各种电子设备中的开关或调节功能，能够有效提升系统的整体性能和可靠性。
