HSCTWA60N120G24_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:78A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的连续电流ID，适用于要求严苛的高功率密度设计。其最大漏源电压VDSS为1200V，确保了在高压环境下的可靠运行。导通状态下，其低至40毫欧的RDSON有效降低了电力损耗。栅源电压VGS的绝对值可达18V，为驱动电路提供了灵活性。此MOSFET适合应用于需要高效能量转换的场合，例如高频开关电源、不间断电源系统以及太阳能逆变解决方案中，能够优化整体效率并增强系统的稳定性。
