HNVH4L095N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29A的连续漏极电流能力与650V的漏源电压耐受水平，导通电阻为60mΩ，保证了较低的功率损耗。其栅源电压工作范围达到15V，适合于需要高效能和稳定性的电路设计中使用。该器件适用于要求高效率、快速开关速度及紧凑设计的各种电子设备，如高性能电源转换器和个人电子产品中的能量管理系统。
