HTW048N65C_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续漏极电流（ID）处理能力，在阻断电压（VDSS）方面能达到650V。其导通电阻（RDSON）仅为33毫欧，这表明在导通状态下，该器件能有效降低电力损耗。栅源电压（VGS）范围从-5V到@0V，确保了宽泛的工作条件下的可靠性。这些特性使其适用于需要高效能、高耐压与快速开关特性的电子设备中，特别是在要求严苛的电源管理和转换应用中表现出色。
