HSCT018W65G34AG_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）支持高达120安培的连续漏极电流（ID），并具备650伏特的漏源电压承受能力（VDSS）。其导通电阻仅为15毫欧姆（RDON），有助于实现低功耗和高效率。该器件的最大栅源电压（VGS）为15伏特，适用于需要快速开关速度与良好热性能的应用场合，比如高性能电源转换系统、逆变装置等，确保了在各种严苛条件下的稳定性和可靠性。
