HSCT055W65G34AG_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为29A，能够承受高达650V的漏源电压，适用于需要处理高电压的应用场合。其导通电阻仅为60mΩ，有助于降低功耗并提高系统效率。栅源电压范围为-15V至!5V，确保了广泛的驱动兼容性。此MOSFET适合用于要求高效能、低能耗及稳定性的电源管理、逆变器以及其他高压电子设备中。
