HNTH4L060N065SC1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有49A的连续电流能力（ID），并能在最高650V（VDSS）的电压下稳定工作。其导通电阻仅为33毫欧（RDSON），有助于减少能量损耗。该MOSFET设计的工作栅源电压范围是-5V至@0V（VGS），确保了在多种电路条件下的可靠性与灵活性。这些特性使其适用于高频率开关电源、太阳能逆变器以及其他要求高效能转换的应用中。
