HSCT040W120G3_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:40mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具备1200V的高耐压能力（VDSS），适用于需要处理较大电压差的应用场合。其最大连续漏极电流为55A（ID），能够满足中等功率需求。该MOSFET的导通电阻为40mΩ（RDON），有助于减少运行过程中的能量损耗，提高效率。栅源电压范围达到±18V（VGS），确保了良好的驱动兼容性。此器件非常适合于要求高效、可靠且紧凑设计的电源转换系统中使用。
