HNVHL025N065SC1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)具有650V的击穿电压（VDSS），适用于需要中等电压等级下的高效电力控制。其最大连续漏极电流为120A（ID），确保了在高负载条件下的稳定运行。该器件拥有低至15mΩ的导通电阻（RDON），有助于减少能量损耗，提高系统效率。栅源电压范围达到±15V（VGS），支持广泛的驱动电路设计。此MOSFET适合应用于追求高性能与小型化的电源转换场合。
