HAIMZH120R030M1T_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:117A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管(MOSFET)为N沟道类型，具有出色的电气性能。其最大漏极电流可达117A，支持高达1200V的漏源电压，确保了在高压环境下的稳定运行。导通电阻仅为33mΩ，有效降低能耗并提高效率。栅源电压范围从-4V至!8V，提供广泛的驱动兼容性。该产品适用于需要高效能、高可靠性的电力转换场景，如可再生能源系统或高性能电源供应装置中，能够满足对尺寸紧凑同时要求高性能的应用需求。
