HIMZA65R030M1HXKSA1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:97A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET）属于N沟道类型，具有97A的最大电流承载能力（ID/A），以及650V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为25毫欧（mΩ），能够在高电压下保持较低的功耗。该MOSFET设计有±5至@0V的栅源电压范围（VGS/V），适用于需要高效率、高频开关特性的应用场合。其出色的电气特性使其成为高性能电源转换器及逆变电路的理想选择。
