HNVH4L045N065SC1_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:97A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有97A的ID/A额定电流，适用于处理较大负载的应用。其最大漏源电压VDSS/V为650V，确保了在高压环境下的可靠性。导通状态下，该MOSFET的RDSON/mΩ仅为25毫欧，有助于减少能量损耗。工作栅源电压VGS/V范围是-5V到@0V，为电路设计提供了灵活性。此元件适合应用于需要高效能电力转换和精确控制的场合，如高性能计算设备中的电源管理系统或消费电子产品内的开关模式电源。
