HSCTWA35N65G2V_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款碳化硅场效应管（MOSFET）具有49A的最大连续漏极电流（ID），650V的断态漏源电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为33毫欧，支持-5至@0V的栅源电压（VGS），属于N沟道类型。其出色的电气性能和可靠性，使之成为电源转换、逆变器以及精密电子设备中高频开关电源应用的理想选择，能够有效提升系统的效率和稳定性。
