HSTB55NF06LT4_TO-263_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:55V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET具备49A的连续排水电流（ID/A），其最大漏源电压（VDSS）为55V，导通电阻（RDSON）低至9毫欧，在高功率密度设计中表现出色。器件支持最大±20V的栅源电压（VGS），确保了良好的控制特性。其优异的电气参数使其成为高性能开关电源、LED照明驱动以及电池供电设备等应用的理想选择，能够在减少能量损耗的同时提供稳定的电流控制。
