HNTD20N06LT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续电流承载能力（ID），能够在高达60V的漏源电压（VDSS）下工作，确保了其在高功率密度应用中的可靠性。此元件拥有低至27毫欧的导通电阻（RDSON），有助于减少能量损耗，提升效率。栅源电压（VGS）的最大额定值为20V，使得该器件易于驱动。适用于各种电源管理场合，如电源转换与管理领域，能有效提高系统的整体性能。
