HFQD19N10LTM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）设计有15A的连续排水电流（ID），适用于需要大电流处理能力的应用。其额定漏源电压（VDSS）为100V，确保了在高压环境下的可靠性能。导通电阻（RDSON）仅为100毫欧，有助于在负载条件下保持低发热和高效率。该MOSFET的最大栅源电压（VGS）为±20V，增强了驱动兼容性和灵活性。适用于各种需要高性能电力转换与控制的场合，如高性能计算硬件的电源管理单元或日常家用电器的电机驱动部分。
