HBSC098N10NS5ATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80A的最大漏极电流（ID），支持高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为6.4毫欧，在20V的栅源电压（VGS）下操作，适合用于需要高效电力转换的应用中。此MOSFET适用于各种电源管理解决方案，例如在消费电子产品的开关模式电源（SMPS）中作为功率级元件，或是在便携设备中充当负载开关，确保了电路的可靠性和效率。其优良的电气特性使其成为设计紧凑型高性能电子装置的理想选择。
