HIPD30N06S4L23_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大连续电流30A（ID），漏源电压承受能力为60V（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为22毫欧，有助于减少发热和能量损失。该器件支持20V的栅源电压（VGS），能够确保可靠的开关性能。适用于各类电源管理方案，如DC/DC转换器、便携式设备充电电路等，可在保证高效能源利用的同时，提供稳定的电流控制。
