HAO3460_SOT-523_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-523 类别:场效应管(MOSFET) 最小包装:3000/圆盘 参数1:电流ID:0.1A 参数2:电压VDSS:60V 参数3:RDON:1300mR 参数4:沟道类型:N 标价:欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管设计用于低功率应用,具有0.1A的连续漏极电流能力和60V的漏源电压。其导通电阻为1300毫欧姆,适合在对空间和效率有特定要求的小型电子装置中使用。栅源电压可达20V,确保了良好的开关性能。此MOSFET适用于各种需要精密控制电路的工作环境,如便携式设备、消费电子产品等场合作为有效的开关或放大元件。
