HIRF630PBF_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:9A 参数2：电压VDSS:200V 参数3：RDON:220mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管具备9A的连续漏极电流能力，支持高达200V的漏源电压。其导通电阻仅为220毫欧姆，保证了较低的功率损耗与高效的电能转换。栅源电压范围为20V，适用于需要精确控制和快速开关的应用场景。此MOSFET设计紧凑、性能可靠，适合于各种要求严苛的电子设备中作为开关元件或信号放大器使用。
