HSTL110N10F7_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:75A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID/A），适用于要求较高的电流应用场合。其最大工作电压（VDSS/V）为100V，能够承受较高电压环境下的工作需求。导通电阻（RDSON/mR）仅为7.3毫欧，这意味着在导通状态下其自身损耗较小，效率更高。栅源电压（VGS/V）的最大值为20V，确保了有效的开关操作。此MOSFET适合用于需要高效能和可靠性的电路设计中，如电源管理、便携式设备的电源开关等应用场景。
