HSSM3J331RLF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.2A的最大漏极电流（ID/A），并能承受高达20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧（mR），确保了在高频率开关应用中的低损耗性能。该MOSFET设计用于在不超过12V的栅源电压（VGS/V）下操作，适用于各种需要紧凑且高效解决方案的场合，例如消费电子设备中的电源管理或信号处理领域。
