HHUF75329D3S_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）支持高达30A的连续漏极电流（ID/A），并且能够承受60V的最大漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）仅为22毫欧（mR），有助于减少功率损耗，提高效率。该MOSFET适用于在最大20V的栅源电压（VGS/V）条件下运行，是设计需要高效能及可靠性的开关电源、LED照明驱动以及消费电子产品的理想选择。
