HCSD19537Q3_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能特点，其连续排水电流ID可达80A，适用于大电流需求的电路设计；漏源击穿电压VDSS为100V，确保了在高压环境下的可靠性；导通状态下，其漏源电阻RDSON仅为6.4毫欧，有助于减少能量损耗，提高效率。此MOSFET支持最大栅源电压VGS为20V，适用于各种高功率密度转换器、电源开关及电池管理系统等领域中的精密控制应用。
