HSSM3K344RLF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2.3A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）拥有2.3A的连续排水电流（ID/A），最大可承受20V的漏源电压（VDSS/V）。其导通电阻（RDSON）为48毫欧，在栅源电压（VGS/V）达到12V时能有效工作。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源管理模块，如适配器内的开关电路，以及电池供电的小型设备中的电流调节与保护环节，确保电路稳定运行。
