HDMP3099L_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备4.1A的漏极电流（ID），适合应用于需要精确电流控制的电路中。其最大工作电压（VDSS）为30V，能够承受较高电压而不损坏。导通电阻（RDSON）为48毫欧，有助于减少电力损耗，提升电路效率。栅源电压（VGS）最高可达20V，提供了宽泛的驱动信号范围。此MOSFET适用于消费电子产品中的电源开关、负载稳压以及信号电平转换等多种应用场景。
