HFDS8958B_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:16mR 参数4：沟道类型:N+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款场效应管（MOSFET）为NP沟道设计，具备6A的最大导通电流（ID/A），以及30V的最大漏源电压（VDSS/V）。其低至16毫欧姆的导通电阻（RDSON/mΩ），有助于减少能量损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET支持±20V的栅源电压（VGS/V），便于实现精确的驱动控制。适用于各类消费电子产品中，如适配器内的开关应用、电池供电设备的电源路径管理以及其他需要高性能、低功耗特性的场合。
