HIRF7313TRPBF_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:6A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道MOSFET拥有6A的持续排水电流（ID/A），可承受最大30V的漏源电压（VDSS/V）。其导通状态下电阻（RDSON）为25毫欧，当栅源电压（VGS/V）为20V时能有效降低功率损耗。适用于各类电子装置中的负载开关、电池供电设备的电源管理以及其他对空间和效率有严格要求的应用领域，确保了电路的可靠性和效率。
