HFDD6637_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）承载能力，以及30V的最大漏源耐压（VDSS）。其低至5.5毫欧的导通电阻（RDSON）使得在高功率密度设计中能够有效降低能耗。器件支持最高25V的栅源电压（VGS），增强了电路设计时的适用范围。此MOSFET适用于各种需要精密电源管理与信号放大的电子装置中，如日常家用电器或个人电子设备等。
