HSSM3J356RLF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:2A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，具有2A的连续排水电流（ID/A），最大工作电压（VDSS/V）为60V。导通电阻（RDSON/mR）低至160毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）为20V的情况下能够提供良好的导电性能。该MOSFET适用于需要高效能转换与控制的应用中，如消费电子产品中的电源管理、便携式设备的电池保护以及信号放大等场合。其紧凑的设计与稳定的电气特性使其成为设计灵活电路的理想选择。
