HBSC0501NSI_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备高达150A的连续排水电流（ID/A），并可在最高30V的工作电压（VDSS/V）下稳定运行。其导通电阻（RDSON/mR）仅为2毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）达到20V时展现出优异的导电性能。适用于高功率密度要求的开关电源设计，亦可用于消费电子产品中的电机驱动及电源切换应用，确保了电力传输过程中的低损耗与高效率。其可靠的性能为各种电子设备提供了坚实的硬件支持。
