HNTMFS4823N_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)的最大漏极电流为30A，支持高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为9毫欧姆，有助于减少能耗并提高效率。栅源电压范围达到20V，适用于多种电子设备中的开关或信号放大功能。凭借其紧凑设计和良好的热性能，该MOSFET非常适合用于消费电子产品及家用电器中，提供稳定可靠的电气控制解决方案。
