HFDN306P_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET拥有20V的VDSS（漏源击穿电压）及12V的VGS（栅源电压）规格。在5A的连续电流（ID）下，其导通电阻（RDSON）仅为0.035Ω，表现出良好的导电性能。适用于要求高效转换的应用，如便携设备中的电源管理模块，或是电子装置内的保护电路和开关功能，能够有效降低功耗并提高系统可靠性。
