HRJK0353DPA_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管(MOSFET)具备出色的性能参数，最大漏极电流可达55A，能够承受高达30V的漏源电压。其导通电阻仅为4.7毫欧姆，确保了低功耗和高效能运作。栅源电压范围为20V，适合在多种电子设备中作为开关或信号放大元件使用。凭借其紧凑的设计与优良的热性能，这款MOSFET是消费电子产品、家用电器等领域的理想选择。
