HAON7407_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）支持最高30A的连续漏极电流（ID），并在20V的最大漏源电压（VDSS）下稳定运行。其导通电阻（RDSON）仅为12毫欧，在栅源电压（VGS）为12V时提供优异的导电性能。该MOSFET适用于各类电子设备中的负载开关、电源管理和逻辑电平转换等应用，有助于简化电路设计并提高系统的整体效率。
