HNTTFS4C08NTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:55A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备55安培的最大连续漏极电流（ID）和30伏特的最大漏源电压（VDSS），确保了其在高功率电路中的稳定性能。其导通电阻（RDS(on)）仅为4.7毫欧，在大电流通过时能有效减少发热，提高效率。该器件支持最高20伏特的栅源电压（VGS），保证了良好的开关特性。适用于电源转换、电池管理等需要高效能、低损耗的电子设备中。
