HNP23N06YDG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:20mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道MOSFET场效应管，具有30安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏特的漏源极击穿电压（VDSS），确保了其在高电流和高压条件下的可靠工作。其导通电阻（RDS(ON)）仅为20毫欧，有助于减少发热，提高电路效率。支持最高20伏特的栅源电压（VGS），使得该元件能够适应多种电路设计需求。适用于电源转换、电池管理以及需要高性能开关控制的电子设备中。
