HSi2308DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道MOSFET支持3A的连续漏极电流，能够承受最高达60V的漏源电压。其导通电阻为72毫欧姆，保证了良好的电流传输效率。栅源电压范围为20V，适用于多种电子设备中的开关控制、电源管理和保护电路等应用场合。该MOSFET以其紧凑的设计和可靠的性能，成为消费电子产品及日常家用电器设计中的优选元件。
