HIPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有80安培的最大连续漏极电流和60伏特的漏源击穿电压，适用于需要高电流承载能力和良好耐压性能的电路设计。其导通电阻仅为6毫欧，有效减少了工作时的热量产生，提高了能量转换效率。结合20伏特的栅极阈值电压，确保了优秀的开关特性，适用于高频开关电源、电池管理系统以及各类电子设备中的精密控制。该MOSFET凭借其出色的性能，成为实现高效、紧凑电路设计的理想选择。
