HSTD20NF06LAG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:27mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大排水电流（ID），并在60V的漏源耐压（VDSS）下稳定运行。其低至27mΩ的导通电阻（RDSON）在20V的栅源电压（VGS）下提供了优异的电流处理能力。这些特性使得该MOSFET适用于消费电子产品中的高效直流转换器、便携式充电设备以及其他要求高效能、低能耗的电路设计中，确保了在日常使用环境下的可靠性能。
