HSTD30NF06LAG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:22mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管(MOSFET)具备卓越的电气性能，其最大连续漏极电流ID可达30A，能够承受高达60V的漏源电压VDSS。该器件拥有低至22mΩ的导通电阻RDON，确保了在高负载下的高效能运行。同时，它支持-20V到@0V的栅源电压VGS范围，适用于要求快速开关和良好热性能的应用场景。此MOSFET是电源管理、LED照明以及消费电子等领域中实现电路控制与保护的理想选择。
