HSTF7N65M2_TO-220F_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:7A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:1200mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有7A的连续排水电流（ID/A），最大工作电压（VDSS/V）为650V，导通电阻（RDSON/mR）为1200毫欧姆，在栅源电压（VGS/V）可达30V的情况下，保证了良好的开关性能。此元件适用于需要高压处理的应用场合，如电源管理、便携式设备的电池保护以及消费类电子产品中的开关模式电源转换器。其高可靠性和稳定性使它成为设计中不可或缺的一部分。
