HSi2323DS_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道MOSFET具备5A的连续漏极电流承载能力，支持最高20V的漏源电压。其导通电阻低至35毫欧姆，有效减少了能量损耗并提高了效率。栅源电压阈值为12V，适合应用于消费电子设备中的电源开关、负载控制及信号处理等场合。凭借优异的电气性能和可靠的稳定性，该产品成为各类小型至中型电子项目设计的理想组件。
